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平面結構硅MOS,具有可靠性高,成本低,應用廣泛等特點。但是當客戶需要更低內阻(比如小于300毫歐),更低開關損耗時,可以選擇超結硅MOS,甚至是碳化硅MOS,氮化鎵MOS等第三代半導體器件